不同类型的RAM(随机存取内存)

随机内存(RAM)是计算机主内存的一部分，CPU可以直接访问它。内存用于对CPU随机访问的数据进行读写。RAM在本质上是不稳定的，这意味着如果停电，存储的信息就会丢失。内存用于存储CPU当前正在处理的数据。大多数可修改的程序和数据都存储在RAM中。

集成RAM芯片有两种形式:

SRAM(静态RAM)
DRAM(动态随机存取存储器)

RAM芯片的框图如下所示。

不同类型的RAM

SRAM

SRAM存储器由电路组成，只要通电，就能保持所存储的信息。这意味着这种类型的内存需要恒定的能量。SRAM存储器被用来建立高速缓存内存。

SRAM内存单元:静态存储器(SRAM)是由电路组成的存储器，只要通电，就能保持其状态。因此，这种类型的存储器被称为易失性存储器。下图是SRAM的单元图。锁存器由如图所示连接的两个逆变器组成。两个晶体管T1和T2用两位线连接锁存器。这些晶体管的作用是充当开关，可以在地址解码器控制的字线的控制下打开或关闭。当字线为0级时，晶体管关闭，锁存器保留其信息。例如，如果点A的逻辑值为1，而点B的逻辑值为0，则单元格处于状态1。只要字行未激活，这种状态就会一直保持。

不同类型的RAM

对于Read操作，字行由地址输入到地址解码器激活。激活的字线关闭晶体管(开关)T1和T2。然后将A点和B点的位值分别传输到各自的位线上。位行的检测/写入电路将输出发送给处理器。
对于Write操作，提供给解码器的地址激活字行以关闭两个开关。然后通过感/写电路提供要写入单元的位值，然后将位线中的信号存储在单元中。

DRAM

DRAM以加在电容器上的电荷的形式存储二进制信息。电容器上储存的信息在一段时间内会丢失，因此必须定期充电以保持其使用。主存储器一般由DRAM芯片组成。

DRAM内存单元:虽然SRAM速度非常快，但由于其每个单元都需要几个晶体管，因此价格昂贵。相对便宜的RAM是DRAM，由于在每个单元中使用一个晶体管和一个电容，如下图所示。，其中C是电容，T是晶体管。信息以电容器充电的形式存储在DRAM单元中，需要定期充电。
为了在该单元中存储信息，晶体管T被打开，并对位线施加适当的电压。这使得已知的电荷量被存储在电容器中。晶体管关闭后，由于电容器的特性，它开始放电。因此，只有在电容器的电荷低于某个阈值之前读取存储在电池中的信息，才能正确读取信息。

不同类型的RAM

DRAM类型:

DRAM主要有5种类型:

异步DRAM (ADRAM) –
上面描述的DRAM是异步类型DRAM。存储器设备的定时是异步控制的。一个专门的存储器控制器电路产生必要的控制信号来控制时序。CPU必须考虑到内存响应的延迟。
同步DRAM (SDRAM) –

这些RAM芯片的访问速度直接与CPU的时钟同步。因此，当CPU期望内存芯片准备就绪时，它们就可以继续运行。这些内存在cpu -内存总线上运行，而不施加等待状态。商用的SDRAM是将多个SDRAM芯片集成在一起，并形成模块所需容量的模块。
双数据速率SDRAM (DDR SDRAM) –
这个更快版本的SDRAM在时钟信号的两端执行操作;而标准的SDRAM则在时钟信号的上升沿上执行操作。由于它们在时钟的两端传输数据，数据传输速率增加了一倍。为了高速访问数据，存储单元被组织成两组。每个组都是单独访问的。
Rambus DRAM (RDRAM) –
RDRAM在狭窄的cpu -内存总线上提供非常高的数据传输速率。它使用各种加速机制，比如同步内存接口、DRAM芯片内的缓存和非常快的信号定时。Rambus数据总线宽度为8或9位。
缓存DRAM (CDRAM) –
这种存储器是一种特殊类型的DRAM存储器，具有片上缓存存储器(SRAM)，它充当主DRAM的高速缓冲区。